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参数目录42034
> IRF6217TRPBF MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
型号:
IRF6217TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6217TRPBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
700mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 欧姆 @ 420mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRF6217TRPBFCT
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